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元件参数资料
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参数目录40560
> IRF1018ESLPBF MOSFET N-CH 60V 79A TO-262
型号:
IRF1018ESLPBF
RoHS:
无铅 / 符合
制造商:
International Rectifier
描述:
MOSFET N-CH 60V 79A TO-262
详细参数
数值
产品分类
分离式半导体产品 >> FET - 单
IRF1018ESLPBF PDF
产品目录绘图
IR Hexfet TO-262
标准包装
50
系列
HEXFET®
FET 型
MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点
标准
漏极至源极电压(Vdss)
60V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C
79A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C
8.4 毫欧 @ 47A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大)
4V @ 100µA
闸电荷(Qg) @ Vgs
69nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds
2290pF @ 50V
功率 - 最大
110W
安装类型
通孔
封装/外壳
TO-262-3,长引线,I²Pak,TO-262AA
供应商设备封装
TO-262
包装
管件
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